MOCVD是一种新型的气相外延生长技术，它是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的，是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
 

　　氢气发生器在MOCVD中的广泛应用：
 

　　在MOCVD中，氢气可以担当载气，将III(II)金属有机物和V(VI)族氢化物以及掺杂源携带运输到反应室内，为化学沉积反应和薄膜生长提供基础，MOCVD要求氢气纯度≥99.999%(≥5N)，进口压力为4-7bar，而氢气发生器所产氢气可以符合这一领域的用气需求。同时，氢气纯度稳定不变，减少了氢气纯度波动对设备的影响。
 

　　除此之外，设备操作便捷，保障氢气供应连续不间断，用户无需担心氢气用完，也无需和高压气体钢瓶接触，发生器自动运行，无需额外人工操作；发生器自动侦测自身工作状态和错误，一旦侦测异常，发生器报警。下面介绍MOCVD氢气发生器相关信息。
 

　　MOCVD氢气发生器由超纯水机制取二级水，并储存至水箱备用。氢气发生器缺水时，自动供给至氢气发生器。多台氢气发生器可串联使用，通过串联控制线由一台发生器控制其他发生器，实现产气均匀分配。(以两台设备为例控制图如下)